Ferroelectric Memory Company

Ferroelectric Memory Company (FMC) révolutionne la fabrication de semi-conducteurs avec des solutions innovantes de mémoire non volatile embarquée. Située à Dresde, en Saxe, Ferroelectric Memory Company relève des défis matériels essentiels pour l'ère de l'Internet des objets, offrant des solutions aux entreprises sans usine et aux fabricants de semi-conducteurs cherchant à améliorer les microcontrôleurs (MCU). La technologie pionnière de FMC permet de faire évoluer les MCU de 65 nm à 28 nm et au-delà, ce qui entraîne des réductions de coûts et des gains de performances importants. L'adresse principale de Ferroelectric Memory Company est Charlotte-Bühler-Straße 12, Dresden, Sachsen 01099, DE.

Ferroelectric Memory Company commercialise des innovations matérielles disruptives basées sur l'oxyde de hafnium ferroélectrique (FE-HfO2), transformant les transistors classiques à grille métallique à haute constante diélectrique (HKMG) en transistors à effet de champ ferroélectriques non volatils (FeFET). Cette technologie offre des réductions de coûts SoC d'environ 80 %, une réduction de l'énergie d'écriture d'un facteur 1000 et un gain de performance global du système d'environ 70 %. Les solutions de Ferroelectric Memory Company s'intègrent parfaitement aux bases de référence CMOS, garantissant ainsi leur applicabilité aux nœuds technologiques de pointe tels que 22 nm FDSOI et 1X nm FinFET.

Ferroelectric Memory Company se consacre à l'avancement de la technologie de la mémoire et à la promotion de l'innovation dans l'industrie des semi-conducteurs. En mettant l'accent sur la fourniture de solutions eNVM évolutives, rentables et à hautes performances, Ferroelectric Memory Company est en passe de devenir un leader dans le paysage IoT en évolution rapide. Nous invitons le responsable de Ferroelectric Memory Company à créer une vitrine d'entreprise et une liste de produits personnalisées et exclusives sur notre plateforme afin d'améliorer encore votre présence sur le marché.